GB/T 11164-2011:《真空镀膜设备通用技术条件》,规定电源的电气安全、绝缘、接地、温升、噪声、可靠性等基础要求。
GB/T 10067.101-2023:《电热和电磁处理装置基本技术条件 第 101 部分:真空电热和电磁处理装置的通用要求》,2024 年 7 月实施,对真空设备电源的通用技术、试验方法、检验规则作出最新规范国家标准委。
GB 5226.1-2019:《机械安全 机械电气设备 第 1 部分:通用技术条件》,电源的电气安全、防护等级(IP)、急停、接地等强制要求。
GB/T 15945-2008:《电能质量 三相电压不平衡》,工业电网适配要求。
JB/T 8946-2010:《真空离子镀膜设备》,针对离子镀、多弧、磁控溅射电源的专项技术要求。
JB/T 7673:真空设备电气控制通用规范。
行业专项:《等离子体用射频电源技术规范》《射频电源技术要求》(行业团体标准)。
DB44/T 2432-2023(广东):《真空镀膜装备能效评价规范》,将电压稳定度、纹波列为一级能效指标。
光学 / 半导体行业:要求72 小时满负荷无故障、膜厚均匀性误差≤±3%。
表格
| 镀膜工艺 | 推荐电源类型 | 行业标准核心要求 |
|---|---|---|
| 多弧离子镀(装饰 / 工具镀) | 多弧电源 + 脉冲偏压 | 灭弧速度<500μs,稳弧能力强,抑制靶中毒 |
| 直流磁控溅射(金属膜) | 直流磁控电源 | 纹波<0.1%,输出稳定度≤±0.1% |
| 中频 / 双极脉冲(反应溅射) | 中频交流 / 双极脉冲电源 | 双极平衡,抑制打弧,适合氧化物 / 氮化物 |
| HIPIMS(高功率脉冲磁控) | HIPIMS 专用电源 | 高功率密度,脉冲精度高,稳定性强 |
| 光学镀膜(AR/AF/ 增透) | 高精度直流 / 射频电源 | 极低纹波(<0.05%),高精度(±0.1%),超稳定 |
| 射频溅射 / PECVD(半导体 / 薄膜) | 射频电源(13.56MHz 等) | 自动匹配,功率稳定,谐波抑制 |
| 电子枪蒸发 | 电子枪高压电源 | 高压稳定,纹波小,灭弧快 |
输入适配:380V±10%/50Hz 三相,电压不平衡度≤2%(GB/T 15945)。
输出精度:电压 / 电流控制精度 ±0.1%~±0.5%(高端光学 / 半导体≤±0.1%)。
稳定度:长期输出稳定度 ≤±0.1%(72 小时满负荷)。
纹波 / 噪声:直流电源 <0.1%(优秀<0.05%);射频电源谐波抑制达标。
灭弧 / 抑弧:多弧 / 溅射电源灭弧响应 <1μs~500μs,快速灭弧防损坏。
功率冗余:额定功率≥工艺峰值功率的 1.2~1.5 倍,长期负载≤70%~80% 额定。
绝缘电阻:高压端对机壳 ≥100MΩ(500V 摇表)。
耐压测试:输入 / 输出对地 2kV/1min 无击穿、闪络。
接地:保护接地(PE)牢固,接地电阻 <4Ω。
防护等级:IP20 及以上(防止手指接触带电体);工业环境可选 IP54。
保护功能:过压、过流、过热、短路、缺相、打火保护,故障自动停机并报警。
MTBF:工业级 ≥50000 小时;高端 ≥100000 小时。
连续运行:支持 7×24h 满负荷稳定运行(光学 / 半导体强制)。
环境适应:工作温度 0~45℃,湿度 10%~90% RH(无凝露)。
散热:风冷 / 水冷设计符合 GB/T 10067.101,温升≤40K(环境温度 + 40℃)。
支持本地 / 远程控制(RS485/Profinet/EtherNet/IP),兼容主流 PLC。
可设定电压、电流、功率、脉冲参数(频率、占空比、双极平衡)。
具备数据记录、故障诊断、历史查询功能。
厂家提供 GB/T 11164、GB 5226.1 等标准的第三方检测报告(CMA/CNAS)。
提供 CE、UL、CSA 等国际认证(出口必备)。
提供 MTBF 报告、72 小时满负荷测试报告、纹波 / 稳定度测试报告。
带载测试:在真空室实际工况下测试,验证稳弧、灭弧、纹波、稳定度。
连续运行:72 小时满负荷,记录参数波动、温升、故障情况。
兼容性:与真空系统、靶材、工件架联动测试,无异常打火、跳闸。
选择有真空镀膜电源专项设计能力、参与行业标准起草的厂家。
要求 2 年质保,提供现场安装、调试、培训、24 小时售后响应。
提供易损件清单(电容、风扇、IGBT 等)与长期备件供应。
工具 / 装饰镀:优先多弧 + 脉冲偏压,强调节能、稳弧、灭弧快。
光学 / 玻璃镀膜:必须高精度低纹波直流 / 射频,稳定度≤±0.1%,72 小时无故障。
半导体 / 光伏:射频 / HIPIMS,自动匹配,谐波抑制,超高精度与稳定性。
卷绕 / 连续镀膜:大功率中频 / 直流,高可靠性,长寿命设计。